インテル、ＩＢＭ、新素材採用で４５nmプロセスのトランジスタ開発

　米インテルと米ＩＢＭの２社はそれぞれ独自に、トランジスタ小型化の障壁となってきたリーク電流と呼ばれる現象を解決する技術を開発したことを発表した。新素材を使うことで、より処理能力や熱効率に優れたチップが開発可能になる。

　これまでチップメーカーは概して、集積回路のトランジスタ密度は２年で倍増するというムーアの法則に従うペースで開発に成功してきた。しかし、近年、電流が集積回路上でもっとも薄い部分から漏れ出すという深刻な問題が明らかになった。リーク電流と呼ばれるこの現象は、集積回路の微細化が進むほど顕著になる。集積回路の小型化は一般に高性能化につながるが、リーク電流が消費電力や発熱量が増加してしまうため、高性能化を進めることが難しくなっていた。

　新技術では、トランジスタ内で絶縁体として４０年間以上使用されてきた二酸化ケイ素を、複数の金属を含む新素材に置き換えることで、この問題を回避できるようになった。インテルによると、新素材はトランジスターの性能を２０％向上させる。ＩＢＭは詳細を発表していない。

　インテルによると２００７年後半から製品の量産を行い、４５ナノメートル・プロセスで生産が行われる予定という。ＩＢＭは自社ではチップを販売しないが、同技術を使用したチップ搭載のサーバーを２００８年に販売開始するという。ＩＢＭと共同開発を行っているＡＭＤは同技術を自社のチップに使う時期については明らかにしなかった。しかし、４５ナノメートル・プロセスの製品を２００８年中ごろに導入する計画であると発表している。