インテル、IBM、新素材採用で45nmプロセスのトランジスタ開発
2007年01月29日 17:52更新
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米インテルと米IBMの2社はそれぞれ独自に、トランジスタ小型化の障壁となってきたリーク電流と呼ばれる現象を解決する技術を開発したことを発表した。新素材を使うことで、より処理能力や熱効率に優れたチップが開発可能になる。
これまでチップメーカーは概して、集積回路のトランジスタ密度は2年で倍増するというムーアの法則に従うペースで開発に成功してきた。しかし、近年、電流が集積回路上でもっとも薄い部分から漏れ出すという深刻な問題が明らかになった。リーク電流と呼ばれるこの現象は、集積回路の微細化が進むほど顕著になる。集積回路の小型化は一般に高性能化につながるが、リーク電流が消費電力や発熱量が増加してしまうため、高性能化を進めることが難しくなっていた。
新技術では、トランジスタ内で絶縁体として40年間以上使用されてきた二酸化ケイ素を、複数の金属を含む新素材に置き換えることで、この問題を回避できるようになった。インテルによると、新素材はトランジスターの性能を20%向上させる。IBMは詳細を発表していない。
インテルによると2007年後半から製品の量産を行い、45ナノメートル・プロセスで生産が行われる予定という。IBMは自社ではチップを販売しないが、同技術を使用したチップ搭載のサーバーを2008年に販売開始するという。IBMと共同開発を行っているAMDは同技術を自社のチップに使う時期については明らかにしなかった。しかし、45ナノメートル・プロセスの製品を2008年中ごろに導入する計画であると発表している。
※この記事はAP通信との契約で財経新聞社が日本向けに翻訳・編集したものです。翻訳・編集責任は財経新聞社にあります。AP通信はコンテンツの誤謬及び遅延、コンテンツに依拠してなされたすべての行動に関して一切責任がないものとします。Copyright 2006 The Associated Press. All rights reserved.
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