中国、米インテルの２５億ドルの工場建設計画を認可

　中国の最高経済企画機関である国家発展和改革委員会（ＮＤＲＣ）は１３日、米半導体大手インテルが中国から２５億ドルの半導体製造工場を大連市に建設する認可を受けたことを発表した。

　インテルは大連市に半導体製造工場を建設する計画を明らかにしていない。北京のインテル関係者と米カリフォルニア州サンタクララの同社本部では公式の発表をまだ行っていないとしてコメントを避けた。

　中国では携帯電話ユーザー人口が世界最大にまで上り、コンピュータの売上も急速に拡大する中で半導体の需要が急激に高まっている。同国政府は、中国企業が高収益の技術開発への投資を増加させることを望んでおり、外国企業にはハイテク施設を中国内に移すことを奨励している。

　ＮＤＲＣの発表によると、建設を認可されたインテルの工場では９０ナノメートルプロセスでの生産を行う。半導体業界で生産の技術水準を測る一つの重要な要素は回路のサイズであり、インテルが中国工場では半導体の回路線幅が９０ナノメートルであることを意味する。９０ナノメートルという製造プロセスから、インテルがこの施設で製造しようとしているのはフラッシュメモリチップやチップセットであるということが示唆される。

　インテルは現在、カリフォルニア、ニューメキシコ、アイルランド、イスラエルで９０ナノメートルプロセスを採用し、チップセットやＮＯＲ型フラッシュメモリを生産している。インテルはまた、マイクロンテクノロジーとの合弁会社を通じて９０ナノメートルプロセスでＮＡＮＤ型フラッシュメモリの生産も行っている。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリはデジタル音楽プレーヤーやデジタルカメラに使用されているメモリである。

　インテルと、同業の米アドバンスト・マイクロ・デバイシズはチップセットやフラッシュメモリよりも高度な技術が必要なマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）を生産するため、製造施設の増強に多額の投資を行っている。半導体の回路線幅が小さくなれば、生産コストは低下し、組み込めるトランジスタの数が増えることで性能は向上する。インテルは現在、大半のＭＰＵを６５ナノメートルプロセスで生産しており、今年の後半には次の世代の４５ナノメートルプロセスへの移行を開始すると述べている。

　政府発表の通りに２５億ドルの投資が行われれば、インテルの大連工場は中国で最大級の外国投資事業になる。これまで最大の外国投資はロイヤル・ダッチ・シェルグループと中国東南部の２社による石油化学プラントの建設で、４３億ドルだった。