サムスン、新型フラッシュメモリーチップ開発

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• サムスン電子従業員が、世界最新の30ナノメータ回路幅の64GBNANDフラッシュメモリーチップを公開している。2007年10月23日、韓国ソウルでの記者会見にて(AP通信）。

　世界最大のコンピュータメモリーチップ制作会社であるサムスンは、回路幅30ナノメーターの回路素子を用いた64GBの新型NANDフラッシュメモリーチップを公開した。

　サムスンは、新型メモリーチップについて「コンピュータ、およびデジタル機器の主な記憶媒体として、フラッシュメモリが使用されるための大きな飛躍となった」と述べた。

　サムスンは今回公開した新型メモリーチップを2009年にも出荷開始する予定であるという。最新型のメモリーチップを使用することで、電力消費量が軽減され、より多くの電子機器に半導体チップを適用することができるようになる。

　フラッシュメモリーチップは主にデジタル音楽プレーヤ、カメラ、携帯電話に適用されており、機器の電源を切っても記憶を保持することができる。
なお、サムスンはPCに適用されているDRAMメモリーチップの製造も手がけている。

　昨年にはサムスンは回路幅40ナノメーターの回路素子を用いた32GBのNANDフラッシュメモリーチップを発表している。回路幅40ナノメーターのチップは、来年にも出荷される予定であるという。現状では、サムスンで出荷するフラッシュメモリーチップの大部分は50ナノメーターの回路幅であるという。