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米ＩＢＭとＴＤＫは２０日、スピン注入磁化反転法を適用した次世代大容量ＭＲＡＭの研究開発を、共同で開始したと発表した。
2007年8月21日 | MRAM | タグ: IBM, TDK, 開始, 共同研究開発, 次世代MRAM
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